测试包括使用简单的界面产生程序和/或删除周期到专利的分段任意脉冲模式并且控制内嵌的高耐久输出继电器。使用内含的测试代码和长寿命输出继电器，耐久和干扰测试也轻而易举。FLASH产品包提供提供机箱外的易于理解的解决方案，并提供接入脉冲发生器和示波器用于一般用途的示波器应用。
针对特定需求而设计的应用工具包
4200-PIV-A
4200-PIV-Q
4200-Flash
描 述
用于常规工艺（例如CMOS）的电荷俘获与等温测试
用于III-V族、LDMOS和其他具有较高频率和功率FET器件的高功率脉冲测试
用于测试Flash存储器器件（NOR和NAND型），包括MLC工艺
器 件
FET
HEMT、FET
浮栅FET
工 艺
先进CMOS
III-V族/LDMOS
NAND、NOR、非易失性存储器
源 方 法
对栅极加脉冲，对漏极加直流偏压
支持静点测试的栅极和漏极双脉冲
对栅极、漏极、源极和衬底都加脉冲
测 量
栅电压、漏极电压和电流
栅电压和电流，漏极电压和电流
脉宽范围*
40ns～150ns
500ns～999ms
250ns～1s
特有功能
8位、1GS/s的测量速度，适用于先进CMOS工艺的脉冲I-V测试与高速单脉冲电荷俘获测试
适用于按比例缩小射频晶体管的双通道、静点脉冲测试
每个DUT管脚一个多级脉冲通道，集成式持久输出继电器（High Endurance Output Relay）支持NAND和NOR闪存的疲劳测试
