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脉冲工具包－吉时利仪器公司
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     脉冲式I-V、Q点、双通道、脉冲工具包
    脉冲式I-V、Q点、双通道、脉冲工具包是针对小尺寸射频晶体管的静态点脉冲I-V测试而设计的，例如IIIV族化合物或LDMOS工艺下的HEMT和FET器件。它可用于高频晶体管的各种大信号测试，及耗散现象和器件速度性能的研究工作。
4200-PIV-Q脉冲I-V选件，具有静点和双通道脉冲
4200-PIV-Q脉冲I-V选件，具有静点和双通道脉冲
产品介绍
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技术文章
    4200-PIV-Q包专为对缩小的射频晶体管进行静点脉冲而设计，如应用III-V或LDMOS技术的HEMT和FET器件。这一产品包支持通过结合若干4205-PG2和4200-SCP2HR示波器进行大量的新型脉冲测试能力。这些新的能力包括双通道脉冲(即同时在栅和漏极加脉冲), 比4200-PIV-A包更高功率的脉冲和从非零静点的脉冲。脉冲宽度可被调整为从500纳秒到接近直流，并且相同的建立也可被用于执行真正的直流测试而不需重新连接系统的电缆。

软件控制脉冲发生器的源和数字示波器的数据采集，以实现广泛的自动化脉冲I-V测试。4200-SCS公认的界面处理仪器建立和控制、数据存储和描述。创新的软件提供电缆补偿和负载线补偿，产生类直流I-V晶体管曲线,如VDS-ID曲线族和VGS-ID用于电压阈值提取。
    PIV-Q包可用于对高频晶体管进行广泛的大量信号测试，并可快速研究色散现象和器件性能。它还提供了一个好方法来避免直流测试中固有的等温问题。PIV-Q产品包提供机箱外的易于理解的解决方案，并提供接入脉冲发生器和示波器用于一般用途的示波器应用。
   相关应用：
双通道脉冲I-V测试用于III-V和LDMOS：
栅和漏极脉冲电压
测量：栅电流，漏极电压和电流
±20V 脉冲用于栅(40纳秒到150纳秒),±38V脉冲用于漏极
脉冲宽度：500纳秒至999毫秒
包括测试:
VDS - ID: 脉冲和直流
VGS - ID: 脉冲和直流
单脉冲示波器观察: 用于建立确认、PW优化和新脉冲测试原型

   针对特定需求而设计的应用工具包

 

4200-PIV-A

4200-PIV-Q

4200-Flash

描    述

用于常规工艺（例如CMOS）的电荷俘获与等温测试

用于III-V族、LDMOS和其他具有较高频率和功率FET器件的高功率脉冲测试

用于测试Flash存储器器件（NOR和NAND型），包括MLC工艺

器    件

FET

HEMT、FET

浮栅FET

工    艺

先进CMOS

III-V族/LDMOS

NAND、NOR、非易失性存储器

源 方 法

对栅极加脉冲，对漏极加直流偏压

支持静点测试的栅极和漏极双脉冲

对栅极、漏极、源极和衬底都加脉冲

测    量

栅电压、漏极电压和电流

栅电压和电流，漏极电压和电流

栅电压和电流，漏极电压和电流

脉宽范围*

40ns～150ns

500ns～999ms

250ns～1s

特有功能

8位、1GS/s的测量速度，适用于先进CMOS工艺的脉冲I-V测试与高速单脉冲电荷俘获测试

适用于按比例缩小射频晶体管的双通道、静点脉冲测试

每个DUT管脚一个多级脉冲通道，集成式持久输出继电器（High Endurance Output Relay）支持NAND和NOR闪存的疲劳测试

   * 半最大值全宽度（FWHM）