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脉冲I-V组合－吉时利仪器公司
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4200-SCS半导体 特征分析系统
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     脉冲I-V组合
    可选的脉冲I-V组合包提供双通道脉冲输出和测量。脉冲I-V测试为特性分析测试带来了新的方法。它的高速脉冲信号可以帮助您做相关的器件特性分析，例如高介电系数栅的电荷俘获，以及对有自热效应器件的测试。
新的可选硬件都直接整合进4200-SCS机箱内，可在现有系统的基础上升级（需要具备KITE6.0或以上版本），也可作为新系统的选件购买。
4200-PIV-A 脉冲I-V选件，适用于4200-SCS (包括4200-PG2和4200-SCP2,软件和专用互联硬件)
4200-PIV-A 脉冲I-V选件，适用于4200-SCS (包括4200-PG2和4200-SCP2,软件和专用互联硬件)
为了尽可能减少不良的阻抗匹配导致的信号反射对“自助式”脉冲测试系统造成的影响，吉时利的脉冲I-V工具包集成了一种系统互连配置，为连接脉冲发生器和直流测试仪提供了AC/DC耦合。
产品介绍
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技术文章
4200-PIV-A脉冲I-V选件将4205-PG2双通道脉冲发生器和4200-SCP2示波器相结合，专用连接器和专利软件提供一切齐全的脉冲I-V解决方案。软件控制脉冲发生器的源和数字示波器的数据采集，以实现广泛的自动化脉冲I-V测试。4200-SCS公认的界面处理仪器建立和控制、数据存储和描述。创新的软件提供电缆补偿和负载线补偿，产生类直流I-V晶体管曲线,如VDS-ID曲线族和VGS-ID用于电压阈值提取。这一解决方案提供了脉冲I-V测试来解决电荷俘获问题，用于高k栅结构，并能消除器件的自加热问题如高功率晶体管和应用SOI技术的先进CMOS。
    专用连接器解决了高速脉冲测试的诸多典型问题：
  • 结合脉冲和直流源到单个被测器件针，无需重新连接电缆或开关即可实现直流和脉冲特性分析
  • 阻抗匹配，最小化反射并保持脉冲的重现精度
  • 建立简单，只需直接连接电缆并连接被测器件
脉冲I-V测量功能对于高k栅介质的特
脉冲I-V测量功能对于高k栅介质的特
征分析和新器件的等温测试越来越重要
脉冲测试能够在极小或没有等温衰
脉冲测试能够在极小或没有等温衰
减的情 况下对器件进行特征分析
脉冲I-V工具包
    该脉冲I-V工具包提供了实现用于先进器件和材料脉冲式I-V测试的包用系统的所有功能。该工具包中的组件包括：
  • 集成双通道脉冲发生器
  • 双通道数字示波器
  • 脉冲I-V控制软件（已申请专利）
  • 能够将脉冲I-V测试中常见的信号反射减至最少的互连设计（已申请专利）
  • 所有所需的连接器和线缆
  • 下列应用的项目范例
    － FinFET、SOI器件和其他具有自热问题的器件的脉冲I-V等温测试；
    － 用于高k栅介质特征分析的电俘获测试。

   针对特定需求而设计的应用工具包

 

4200-PIV-A

4200-PIV-Q

4200-Flash

描    述

用于常规工艺（例如CMOS）的电荷俘获与等温测试

用于III-V族、LDMOS和其他具有较高频率和功率FET器件的高功率脉冲测试

用于测试Flash存储器器件（NOR和NAND型），包括MLC工艺

器    件

FET

HEMT、FET

浮栅FET

工    艺

先进CMOS

III-V族/LDMOS

NAND、NOR、非易失性存储器

源 方 法

对栅极加脉冲，对漏极加直流偏压

支持静点测试的栅极和漏极双脉冲

对栅极、漏极、源极和衬底都加脉冲

测    量

栅电压、漏极电压和电流

栅电压和电流，漏极电压和电流

栅电压和电流，漏极电压和电流

脉宽范围*

40ns～150ns

500ns～999ms

250ns～1s

特有功能

8位、1GS/s的测量速度，适用于先进CMOS工艺的脉冲I-V测试与高速单脉冲电荷俘获测试

适用于按比例缩小射频晶体管的双通道、静点脉冲测试

每个DUT管脚一个多级脉冲通道，集成式持久输出继电器（High Endurance Output Relay）支持NAND和NOR闪存的疲劳测试

   * 半最大值全宽度（FWHM）