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半导体测试测量技术资源库
半导体测试技术手册
半导体测试技术手册

    该手册集合了吉时利半导体参数测试和器件特性分析专家们的经验和来自用户的应用经验。它涉及新兴的多种技术和工艺,包含:
   RF晶圆测试的挑战
   栅极介电可靠性测试
   电荷泵和可靠性
   高频电容测量
   铜工艺测试
   先进的SMU DC测量

    该手册中还包含了半导体工业的通用术语表。

ACS集成测试系统手册
ACS集成测试系统手册

    吉时利应用专家将与您密切合作,帮助您构建出能够满足您测量需求的系统解决方案,同时,我们长期以来一贯的高品质用户服务将确保在系统使用寿命期内为您创造最大的效益。

    一套支持各种可能配置的应用尽显仪器优势的多功能系统。


2008科研测试核心技术研讨会讲义
2008科研测试核心技术研讨会讲义

    主要内容包括微弱信号测试技术和半导体特性分析测试的技术挑战两个部分,第二部分主要阐述:
   如何控制半导体参数的测试费用,能够低成本快速获取精确而可靠的测试与测量结果
   测试设备、小信号测量中误差和噪声问题的解决方案
   如何提高产能和准确性,进行经济而高速的功能测试
   如何获得功能灵活、高度集成的测试环境,轻松实现I-V、C-V和脉冲测试
   介绍当前用于确保半导体器件可靠性和生产制造的常见测试方法和技术的实例先进技术介绍。


I-VC-V测量应用库CD光盘

I-V与C-V测量应用库CD光盘

索取我们最新的I-V和C-V测量库CD光盘,您将体验到4200-SCS和最新的4200-CV U集成式C-V测量选件如何帮助您降低测试成本,同时简化直流I-V、脉冲和C-V测量应用。 该测量库免费提供了有关I-V和C-V测试的技术讲座,以及:
   白皮书
   应用说明
   数据手册
   文献资料

利用最先进的脉冲与测量功能提升您的器件测试产能

利用最先进的脉冲与测量功能提升您的器件测试产能

 

通过最新的升级,4200-SCS半导体特征分析系统在一个紧凑而高效的多功能工具平台中为您的材料与器件建模、特征分析、新器件技术的分析提供了所需的全部功能。KTEI(吉时利交互式测试环境)V6.2版增强了系统的脉冲I-V测量功能,提供了新的脉冲源和测量软件硬件选件。

    技术文章

· 碳纳米管和低功率纳米级器件的电气特征分析技巧

· 半导体材料高电阻率和霍尔电压测量的仪器与技术

· 迎接65nm工艺结点的测量挑战

· 利用电荷俘获测量技术验证高K栅极材料

· 纳米级器件与材料的电气特征测量

· 如果使用电荷泵技术精确测量陷阱密度

· 高k栅介质中电荷俘获行为的脉冲式特征分析

· 先进SMU直流测量的方法、技巧和注意事项

· 纳米材料的电气特征测量

· 圆片级可靠性测试——器件与工艺开发的关键一步

· C-V/I-V测试变得更快、更简便、更经济

· 半导体可靠性测试中短脉冲测试的强制规范

· 新材料与新工艺呼唤新的测试技术与仪器

· 攀登商品化的山峰

· 纳米器件的脉冲测试

· 纳米技术测试的新挑战

· 问题剖析:低电流测量中的误差

· 具有大面积和极高比探测率的4H-SiC UV光电探测器

· 问题剖析:低电流测量中的噪声

· 问题剖析:低电压、低电流测量中的误差

    应用指南

· 创建4200-SCS的外部仪器驱动

· 利用4200-SCS半导体特征分析系统和爬升速率方法实现准静态C-V测量

· 栅氧可靠性评估

· 利用低噪声的4200-SCS实现超低电流的测量

· MOSFET器件热载流子退化评估

· 利用4200-SCS半导体特征分析系统优化低电流测量

· 集成电路晶体管触点级探测

· 基于4200-SCS的四探针法电阻率和霍尔电压的测量

· 保持4200-SCS软件与数据的完整性

· 利用吉时利4200-SCS监测MOSFET器件的沟道热载流子(CHC)退化

· 面向CMOS晶体管的4200脉冲I-V测量

· 利用4200-SCS和Zyvex S100型纳米控制器实现纳米级互连线和晶体管的I-V测量

· 使用4200-CVU电容-电压单元测量电感

· 基于Cascade Nucleus Prober软件和4200-SCS的晶圆图参数选项使用方法

· 4200-SCS 演示与新用户培训

· 提升4200-SCS的测量速度和整体测试时间

· 安全使用吉时利4200-SCS的互锁功能

· 基于4200-SCS半导体特征分析系统的MOS电容C-V特征分析

· 高产能栅极介电可靠性测试

· 4200-SCS半导体特征分析系统4200-CVU-PWR C-V电源工具包的高电压和高电流C-V测量

· 4200-PIV-Q脉冲IV

· 基于4200-SCS半导体特征分析系统和3400系列脉冲/码型发生器的电荷泵测量

· 面向高产能WLR测试的集成测试系统

· 基于4200-SCS用户测试模块的实时数据绘制

· ACS集成测试系统在NBTI测试中的应用

· 基于4200-SCS半导体特征分析系统的太阳能电池I-V与C-V测量

· 射频功率晶体管的直流电气特征分析

· 更改吉时利互锁线236-ILC-3以使用Cascade 12000系列半自动探测器

· 4200的栅极介质电容-电压特征分析

· ACS集成测试系统在实验室自动化测试中的应用

    技术应用手册

· 4200-SCS半导体特征分析系统

· 利用业界首屈一指的特征分析解决方案更快地获取您所需的纳米测试数据

· ACS WLR集成测试系统

· KTEI V7.1——开启C-V、脉冲和I-V测试的动力之源

· 吉时利脉冲测试解决方案

· 面向教学实验室和大学类研究人员的解决方案

· 寻找当前应对未来纳米特征分析挑战的解决方案

 

半导体测试产品

4200-CVU测试仪
4200-SCS半导体特性分析系统
4200-PIV-A 脉冲I-V选件
4205-PG2双通道脉冲发生器
4200-SCP2双通道示波器卡
4200-SCP2HR 200MS双通道示波器卡
自动特性分析组合(ACS)测试系统
S600系列参数测试仪
S680 直流/射频参数测试系统
   

在线产品演示

4200-SCS半导体特征分析系统
4200-SCS半导体特征分析系统
      · 产品介绍
      · 在线演示(产品概览)
      · 在线演示(系统概览)
      · 在线演示(测量硬件概览)
      · 用于4200-SCS的4200-CVU集成C-V测量选件
      · 用于4200-SCS半导体特征分析系统的4200-PIV-A脉冲I-V测量工具包
      · S680 DC/RF参数测试系统 第三代圆片级射频测量能力

在线研讨会

迎接新的半导体参数测试挑战-ACS吉时利仪器创新的测试平台(中文)
主讲人:顾轶峰 应用工程师

简介:顾轶峰先生现任吉时利公司半导体参数测试部门应用工程师,加入吉时利三年。目前主要负责与芯片制造企业的技术支持工作。
在线研讨会

主讲人:赵咏梅 应用工程师经理

简介:赵咏梅女士于1997年7月毕业于上海交通大学信息与控制工程专业,获工科学士;2004年3月获上海交通大学工学硕士。先后任职于上海交通大学、泰瑞达(上海)有限公司。于2007年加盟吉时利公司,任应用工程师经理。

    主要内容:

随着半导体工艺向45nm挺进,High-K材料、金属栅等新工艺被大规模的使用。无论是在芯片设计公司还是芯片制造公司,测试工程师都面临着越来越大的挑战,层出不穷的新问题需要新的测试仪器和测试方法。如何快速而正确得获取大量的工艺特性参数,可靠性特性参数,功能特性参数成了摆在测试工程师面前的亟需解决的问题。作为半导体参数测试领域的领先者,吉时利仪器新创新的测试平台ACS(Automatic Characterization System),整合了吉时利仪器众多的领先测试仪器,从DC到RF,测试工程师可以在这个平台上完成诸如On-the-Fly NBTI, Pulse IV, Smart TDDB, Wafer Level S-Parameter等新型测试。ACS已经为全球众多的知名半导体厂商所采用,而这个研讨会的主旨就是要向大家介绍这一平台的应用及其优势。

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    半导体电容-电压(C-V)测试的方法、技巧与注意事项

本次研讨会将帮助实验室工程人员实现、查错和验证C-V测量系统。本次研讨会将讨论获得良好C-V测量结果的关键要素。将要谈及的话题包括一些扩展C-V应用的系统配置和结果,例如高压C-V测量和准静态C-V测量。

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    并行圆片级可靠性(WLR)技术基础

本次研讨会将主要探讨关于圆片级可靠性(WLR)并行测试解决方案的各种好处和需要权衡的因素。从技术研发和工艺集成到可靠性监测,WLR测试在的半导体器件的整个寿命周期中都很常用。WLR测试的速度和精度对新产品设计的上市时间影响巨大。并行WLR测试工具通过更快地产生重要的统计样本,大大提高了测试产能。并行WLR测试提高了普通的和先进的WLR测量的产能。

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    半导体电容-电压(C-V)测试基础在线研讨会

本次研讨会将以C-V测量为主题,C-V测量是与半导体器件与材料的特征分析密切相关的。C-V测试常用于获取半导体参数,例如掺杂分布、界面态密度、阈值电压、栅氧电荷和载流子寿命。本次研讨会信息量大,时长45分钟,之后将提供一次交互式问答活动(仅限于现场直播阶段),您可以就这一重要话题上的其他见解向与会专家提问。

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相  关  新  闻

    ·  面向4200-SCS半导体特征分析系统而升级的KTEI V7.1扩展了C-V、I-V和脉冲I-V特征分析功能

吉时利为该公司屡获殊荣的4200-SCS半导体特征分析系统推出了KTEI(吉时利交互式测试环境)V7.1版。此次软件升级支持更高功率半导体器件的测试。4200-SCS支持从低功率到高功率各种器件的特征分析,4200-SCS是当前市场上功能最全面的半导体特征分析仪,能够使繁琐的测量变得非常简单,通过保护用户的固定设备投资大大降低了测试的成本。

    ·  吉时利与Stratosphere Solutions合作研发65nm以下先进工艺的特征分析技术
本次合作将推出可互操作的硅验证解决方案进一步提高工艺参数成品率
    ·  吉时利ACS V3.2版以全新的并行测试与参数式管芯分拣功能突破测试产能
美国俄亥俄州克里夫兰,2008-1-10日讯:吉时利仪器公司(NYSE:KEI),作为新兴测量需求的领导者,近日推出了用于器件级、圆片级和晶匣级半导体测试与特征分析的自动特征分析套件ACS V3.2版。
    ·  吉时利集成最新C-V模块及软件,4200-SCS系统
吉时利为其功能强大的4200-SCS半导体特性分析系统新增一套C-V测量功能-4200-CVU